絲?。?strong>CSD19534KCS；Package：TO-220；CSD19534KCS 100V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1 Features ? Ultra-low Qg and Qgd ? Low thermal resistance ? Avalanche rated ? Pb-free terminal plating ? RoHS compliant ? Halogen free ? TO-220 plastic package 2 Applications ? Secondary side synchronous rectifier ? Motor control 3 Description This 100V, 13.7mΩ, TO-220 NexFET? pow

文件：827.97 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages

TI

德州儀器

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 16.5mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, D

文件：321.75 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

ISC

無錫固電

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

文件：326.11 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages

TI

德州儀器

絲?。?strong>CSD19534KCS；Package：TO-220；CSD19534KCS 100V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1 Features ? Ultra-low Qg and Qgd ? Low thermal resistance ? Avalanche rated ? Pb-free terminal plating ? RoHS compliant ? Halogen free ? TO-220 plastic package 2 Applications ? Secondary side synchronous rectifier ? Motor control 3 Description This 100V, 13.7mΩ, TO-220 NexFET? pow

文件：827.97 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages

TI

德州儀器

CSD19534KCS 100 V N-Channel NexFET Power MOSFET

文件：300.07 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages

TI

德州儀器

采用 TO-220 封裝的單路、16.5mΩ、100V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

這款 100V，13.7mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低損耗。 ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 低熱阻\n? 雪崩額定值\n? 無鉛端子鍍層\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素\n? 晶體管 (TO)-220 塑料封裝;

TI

德州儀器