絲?。?strong>CSD19501KCS；Package：TO-220；CSD19501KCS 80V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1 Features ? Ultra-low Qg and Qgd ? Low thermal resistance ? Avalanche rated ? Pb free terminal plating ? RoHS compliant ? Halogen free ? TO-220 plastic package 2 Applications ? Secondary side synchronous rectifier ? Motor control 3 Description This 80V, 5.5mΩ, TO-220 NexFET? power

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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 6.6mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

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無錫固電

CSD19501KCS, 80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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絲?。?strong>CSD19501KCS；Package：TO-220；CSD19501KCS 80V N-Channel NexFET? Power MOSFET

1 Features ? Ultra-low Qg and Qgd ? Low thermal resistance ? Avalanche rated ? Pb free terminal plating ? RoHS compliant ? Halogen free ? TO-220 plastic package 2 Applications ? Secondary side synchronous rectifier ? Motor control 3 Description This 80V, 5.5mΩ, TO-220 NexFET? power

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采用 TO-220 封裝的單路、6.6mΩ、80V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

這款 80V，5.5mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。要了解所有可用封裝，請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 最大 RθJC = 0.7，脈沖持續(xù)時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1% ? 超低 Qg 和 Qgd\n? 低熱阻\n? 雪崩級\n? 無鉛端子鍍層\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素\n? 晶體管 (TO)-220 塑料封裝;

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