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CSD18511KCS	文件：864.68 Kbytes Page：13 Pages	絲?。?strong>CSD18511KCS；Package：TO-220；CSD18511KCS 40V N-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features ? Low Qg and Qgd ? Low RDS(ON) ? Low-thermal resistance ? Avalanche rated ? Lead-free terminal plating ? RoHS compliant ? Halogen free ? TO-220 plastic package 2 Applications ? Secondary side synchronous rectifier ? Motor control 3 Description This 40V, 2.1mΩ, TO-220 Ne 文件：864.68 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	TI 德州儀器	TI
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CSD18511KCS	文件：321.4 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.6mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：321.4 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
CSD18511KCS	文件：353.4 Kbytes Page：10 Pages	40-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：353.4 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	TI 德州儀器	TI

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