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CSD17484F4 | CSD17484F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Low on-resistance ? Ultra-low Qg and Qgd ? Low-threshold voltage ? Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Ultra-low profile – 0.2-mm height ? Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM ? Lead and halogen free ? RoHS compliant 文件:1.1408 Mbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD17484F4 | 30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件:588.7 Kbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD17484F4 | 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、128mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 這款 99mΩ、30V N 溝道 FemtoFET?MOSFET 的設(shè)計經(jīng)過了優(yōu)化,能夠最大限度地減小許多手持式和移動類應(yīng)用的 尺寸。這項技術(shù)能夠在替代標準小信號 MOSFET 的同時將封裝尺寸減小至少 60%。 ? 低導通電阻\n? 超低 Qg 和 Qgd\n? 低閾值電壓\n? 超小型封裝尺寸(0402 外殼尺寸) \n? 1.0mm × 0.6mm\n \n? 超薄 \n? 高度為 0.2mm\n \n? 集成 ESD 保護二極管 \n? 額定值 > 4kV HBM\n? 額定值 > 2kV CDM\n \n? 無鉛且無鹵素\n? 符合 RoHS 標準; | TI 德州儀器 | TI | |
CSD17484F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Low on-resistance ? Ultra-low Qg and Qgd ? Low-threshold voltage ? Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Ultra-low profile – 0.2-mm height ? Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM ? Lead and halogen free ? RoHS compliant 文件:1.1408 Mbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD17484F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Low on-resistance ? Ultra-low Qg and Qgd ? Low-threshold voltage ? Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Ultra-low profile – 0.2-mm height ? Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM ? Lead and halogen free ? RoHS compliant 文件:1.1408 Mbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD17484F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Low on-resistance ? Ultra-low Qg and Qgd ? Low-threshold voltage ? Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Ultra-low profile – 0.2-mm height ? Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM ? Lead and halogen free ? RoHS compliant 文件:1.1408 Mbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD17484F4 30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件:1.1005 Mbytes 頁數(shù):15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件:588.7 Kbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件:588.7 Kbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI |
技術(shù)參數(shù)
- Configuration:
Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):
128
- IDM - pulsed drain current (Max) (A):
18
- QG typ (nC):
0.92
- QGD typ (nC):
0.075
- Package (mm):
LGA 1.0x0.6mm
- VGS (V):
12
- VGSTH typ (V):
0.85
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A):
3
- ID - package limited (A):
3
- Logic level:
Yes
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州儀器 |
25+ |
PICOSTAR-3 |
20300 |
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TI |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng) |
詢價 | ||
24+ |
PicoStar-3 |
5000 |
全新、原裝 |
詢價 | |||
TI |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | |||
TI |
16+ |
PICOSTAR |
10000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
SXSEMI |
24+ |
DFN1006-3 |
900000 |
原裝進口特價 |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
2447 |
SMD |
100500 |
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TI(德州儀器) |
2021+ |
PICOSTAR-3 |
499 |
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TI/德州儀器 |
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PICOSTAR-3 |
9600 |
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- SE1
- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
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- TD62308
- TD62308APG
- TD62308AFG
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- TL074
- TL074

