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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CSD17381F4	文件：937.48 Kbytes Page：13 Pages	CSD17381F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Ultra-low on-resistance ? Ultra-low Qg and Qgd ? Low threshold voltage ? Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Ultra-low profile – 0.36 mm height ? Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM ? Lead and halogen free ? RoHS compl 文件：937.48 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD17381F4	文件：1.10036 Mbytes Page：11 Pages	30-V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：1.10036 Mbytes 頁數(shù)：11 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD17381F4	文件：602.06 Kbytes Page：13 Pages	30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：602.06 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD17381F4	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護(hù)的單路、117mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 這款 90mΩ，30V N 通道 FemtoFET?MOSFET 技術(shù)經(jīng)過了設(shè)計(jì)和優(yōu)化，能夠以最大限度減小許多手持式和移動(dòng)類應(yīng)用中的封裝尺寸。這項(xiàng)技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET 的同時(shí)將封裝尺寸減小 60% 以上。 ? 超低導(dǎo)通電阻\n? 超低 Qg 和 Qgd\n? 低閾值電壓\n? 超小型封裝尺寸（0402 外殼尺寸） \n? 1.0mm × 0.6mm\n \n? 超薄 \n? 高度 0.35mm\n \n? 集成型靜電放電 (ESD) 保護(hù)二極管 \n? 額定值 > 4kV 人體放電模型 (HBM) \n? 額定值 > 2kV 充電器件模型 (CDM)\n \n? 無鉛且無鹵素\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn);	TI 德州儀器	TI
CSD17381F4.B	文件：937.48 Kbytes Page：13 Pages	CSD17381F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Ultra-low on-resistance ? Ultra-low Qg and Qgd ? Low threshold voltage ? Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Ultra-low profile – 0.36 mm height ? Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM ? Lead and halogen free ? RoHS compl 文件：937.48 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD17381F4T	文件：937.48 Kbytes Page：13 Pages	CSD17381F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Ultra-low on-resistance ? Ultra-low Qg and Qgd ? Low threshold voltage ? Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Ultra-low profile – 0.36 mm height ? Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM ? Lead and halogen free ? RoHS compl 文件：937.48 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD17381F4T.B	文件：937.48 Kbytes Page：13 Pages	CSD17381F4 30-V N-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Ultra-low on-resistance ? Ultra-low Qg and Qgd ? Low threshold voltage ? Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Ultra-low profile – 0.36 mm height ? Integrated ESD protection diode – Rated >4 kV HBM – Rated >2 kV CDM ? Lead and halogen free ? RoHS compl 文件：937.48 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD17381F4_16	文件：602.06 Kbytes Page：13 Pages	30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：602.06 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD17381F4T	文件：602.06 Kbytes Page：13 Pages	30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：602.06 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages	TI 德州儀器	TI

技術(shù)參數(shù)

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
117
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
109
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
10
QG typ (nC)：
1.04
QGD typ (nC)：
0.133
Package (mm)：
LGA 1.0x0.6mm
VGS (V)：
12
VGSTH typ (V)：
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
3.1
ID - package limited (A)：
3.1
Logic level：
Yes

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市龍瀚電子有限公司	CSD17381F4	TI	16+	PICOSTAR3	32500	全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)2	詢價(jià)
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