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CSD17318Q2 | 絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1718/marking.html">1718；Package：WSON；CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features ? Optimized for 5V gate drive ? Low capacitance and charge ? Low RDS(ON) ? Low-thermal resistance ? Lead free ? RoHS compliant ? Halogen free ? SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications ? Storage, tablets, and handheld devices ? Optimized for load switch applications ? 文件：962.9 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD17318Q2 | 這款采用2mm×2mm SON封裝的30V，12.6mΩNexFET?功率MOSFET的設(shè)計被用來降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗，并優(yōu)化5V柵極驅(qū)動器.2mm x 2mm SON針對封裝尺寸提供了出色的散熱性能 文件：959.821 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI | ||
CSD17318Q2 | 30-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：344.2 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD17318Q2 | 采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、16.9mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 這款采用 2mm × 2mm SON 封裝的 30V、12.6mΩ NexFET?功率 MOSFET 的設(shè)計被用來降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗， 并優(yōu)化 5V 柵極驅(qū)動器。 2mm x 2mm SON 針對封裝尺寸提供了出色的散熱性能。 ? 針對 5V 柵極驅(qū)動器進(jìn)行優(yōu)化\n? 低電容和電荷\n? 低 RDS(ON)\n? 低熱阻\n? 無鉛\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素\n? 小外形尺寸無引線 (SON) 2mm x 2mm 塑料封裝; | TI 德州儀器 | TI | |
絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1718/marking.html">1718；Package：WSON；CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features ? Optimized for 5V gate drive ? Low capacitance and charge ? Low RDS(ON) ? Low-thermal resistance ? Lead free ? RoHS compliant ? Halogen free ? SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications ? Storage, tablets, and handheld devices ? Optimized for load switch applications ? 文件：962.9 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲印：1718；Package：WSON；CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features ? Optimized for 5V gate drive ? Low capacitance and charge ? Low RDS(ON) ? Low-thermal resistance ? Lead free ? RoHS compliant ? Halogen free ? SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications ? Storage, tablets, and handheld devices ? Optimized for load switch applications ? 文件：962.9 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲印：1718；Package：WSON；CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features ? Optimized for 5V gate drive ? Low capacitance and charge ? Low RDS(ON) ? Low-thermal resistance ? Lead free ? RoHS compliant ? Halogen free ? SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications ? Storage, tablets, and handheld devices ? Optimized for load switch applications ? 文件：962.9 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
絲印：1718；Package：WSON；CSD17318Q2 30V N-Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features ? Optimized for 5V gate drive ? Low capacitance and charge ? Low RDS(ON) ? Low-thermal resistance ? Lead free ? RoHS compliant ? Halogen free ? SON 2mm × 2mm plastic package 2 Applications ? Storage, tablets, and handheld devices ? Optimized for load switch applications ? 文件：962.9 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
30-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：344.2 Kbytes 頁數(shù)：13 Pages | TI 德州儀器 | TI |
技術(shù)參數(shù)
- Configuration：
Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
16.9
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
68
- QG typ (nC)：
6
- QGD typ (nC)：
1.3
- Package (mm)：
SON2x2
- VGS (V)：
10
- VGSTH typ (V)：
0.9
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
25
- ID - package limited (A)：
22
- Logic level：
Yes
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州儀器 |
21+ |
WSON6 |
9000 |
只有原裝，假一罰十！ |
詢價 | ||
TI |
21+ |
WSON-6 |
179000 |
全新原裝公司現(xiàn)貨
|
詢價 | ||
TI |
24+ |
6-WSON |
9800 |
原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)支持實單 |
詢價 | ||
TI |
21+ |
WSON6 |
18000 |
十年信譽(yù),只做原裝,有掛就有現(xiàn)貨! |
詢價 | ||
TI |
23+ |
WSON-6 |
30000 |
全新原裝正品 |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
2152+ |
WSON6 |
8000 |
原裝正品假一罰十 |
詢價 | ||
TI |
23+ |
WSON6 |
15190 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
TI(德州儀器) |
2022+原裝正品 |
WSON-6 |
18000 |
支持工廠BOM表配單 公司只做原裝正品貨 |
詢價 | ||
Texas Instruments |
2149 |
NA |
6000 |
自營現(xiàn)貨,只做正品 |
詢價 | ||
TI |
24+ |
WSON6 |
189250 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢價 |
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- SE1
- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
- WNS40H100CB
- TD62308
- TD62308APG
- TD62308AFG
- GRM21BR71H104JA11#
- TL074
- TL074
