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CSD13383F4 | CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Low on-resistance ? Ultra low Qg and Qgd ? Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Low profile – 0.36 mm height ? Integrated ESD protection diode – Rated >2 kV HBM – Rated >2 kV CDM ? Lead and halogen free ? RoHS compliant 2 Applications ? Optimized f 文件:935.46 Kbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD13383F4 | N-Channel FemtoFET MOSFET 文件:764.53 Kbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD13383F4 | 采用 1mm x 0.6mm LGA 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、44mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 此 37mΩ 12V N 溝道 FemtoFET?MOSFET 技術(shù)經(jīng)過了設(shè)計和優(yōu)化,能夠以最大限度減小許多手持式和移動類應(yīng)用中的 封裝尺寸。這項技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號 MOSFET 的同時將封裝尺寸減小 60% 以上。 ? 低導(dǎo)通電阻\n? 超低 Qg和 Qgd\n? 超小型封裝尺寸(0402 外殼尺寸) \n? 1.0mm × 0.6mm\n \n? 低高度 \n? 高度 0.35mm\n \n? 集成型靜電放電 (ESD) 保護二極管 \n? 額定值 > 2kV 人體放電模型 (HBM) \n? 額定值 > 2kV 充電器件模型 (CDM)\n \n? 無鉛且無鹵素\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn); | TI 德州儀器 | TI | |
CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Low on-resistance ? Ultra low Qg and Qgd ? Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Low profile – 0.36 mm height ? Integrated ESD protection diode – Rated >2 kV HBM – Rated >2 kV CDM ? Lead and halogen free ? RoHS compliant 2 Applications ? Optimized f 文件:935.46 Kbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Low on-resistance ? Ultra low Qg and Qgd ? Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Low profile – 0.36 mm height ? Integrated ESD protection diode – Rated >2 kV HBM – Rated >2 kV CDM ? Lead and halogen free ? RoHS compliant 2 Applications ? Optimized f 文件:935.46 Kbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET? MOSFET 1 Features ? Low on-resistance ? Ultra low Qg and Qgd ? Ultra-small footprint (0402 case size) – 1.0 mm × 0.6 mm ? Low profile – 0.36 mm height ? Integrated ESD protection diode – Rated >2 kV HBM – Rated >2 kV CDM ? Lead and halogen free ? RoHS compliant 2 Applications ? Optimized f 文件:935.46 Kbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件:1.27293 Mbytes 頁數(shù):15 Pages | TI 德州儀器 | TI | ||
N-Channel FemtoFET MOSFET 文件:764.53 Kbytes 頁數(shù):13 Pages | TI 德州儀器 | TI |
技術(shù)參數(shù)
- Configuration:
Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):
44
- IDM - pulsed drain current (Max) (A):
27
- QG typ (nC):
2
- QGD typ (nC):
0.6
- Package (mm):
LGA 1.0x0.6mm
- VGS (V):
10
- VGSTH typ (V):
1
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A):
2.9
- ID - package limited (A):
2.9
- Logic level:
Yes
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
21+ |
SOT23-5 |
10000 |
十年信譽,只做原裝,有掛就有現(xiàn)貨! |
詢價 | ||
TI(德州儀器) |
2022+原裝正品 |
PICOSTAR-3 |
18000 |
支持工廠BOM表配單 公司只做原裝正品貨 |
詢價 | ||
Texas Instruments |
2122 |
NA |
3000 |
自營現(xiàn)貨,只做正品 |
詢價 | ||
24+ |
PicoStar-3 |
5000 |
全新、原裝 |
詢價 | |||
TI |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | |||
TI |
16+ |
PICOSTAR |
10000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
SXSEMI |
24+ |
DFN1006-3 |
900000 |
原裝進口特價 |
詢價 | ||
TI/德州儀器 |
2447 |
SMD |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
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TI |
25+ |
LGA-3 |
6675 |
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TI/德州儀器 |
24+ |
PICOSTAR-3 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實單! |
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- PI7C8150B
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