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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CSD13302W	文件：548.23 Kbytes Page：11 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/302/marking.html">302；Package：DSBGA；CSD13302W 12 V N Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Ultra Low On Resistance ? Low Qg and Qgd ? Small Footprint 1 mm × 1 mm ? Low Profile 0.62 mm Height ? Pb Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free 2 Applications ? Battery Management ? Load Switch ? Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is 文件：548.23 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD13302W	文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages	CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：492.58 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD13302W.B	文件：548.23 Kbytes Page：11 Pages	絲印：302；Package：DSBGA；CSD13302W 12 V N Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Ultra Low On Resistance ? Low Qg and Qgd ? Small Footprint 1 mm × 1 mm ? Low Profile 0.62 mm Height ? Pb Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free 2 Applications ? Battery Management ? Load Switch ? Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is 文件：548.23 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD13302WT	文件：548.23 Kbytes Page：11 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/302/marking.html">302；Package：DSBGA；CSD13302W 12 V N Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Ultra Low On Resistance ? Low Qg and Qgd ? Small Footprint 1 mm × 1 mm ? Low Profile 0.62 mm Height ? Pb Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free 2 Applications ? Battery Management ? Load Switch ? Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is 文件：548.23 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD13302WT.B	文件：548.23 Kbytes Page：11 Pages	絲印：302；Package：DSBGA；CSD13302W 12 V N Channel NexFET? Power MOSFET 1 Features 1? Ultra Low On Resistance ? Low Qg and Qgd ? Small Footprint 1 mm × 1 mm ? Low Profile 0.62 mm Height ? Pb Free ? RoHS Compliant ? Halogen Free 2 Applications ? Battery Management ? Load Switch ? Battery Protection 3 Description This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is 文件：548.23 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD13302W_15	文件：1.07609 Mbytes Page：15 Pages	CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：1.07609 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD13302W_16	文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages	CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：492.58 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD13302WT	文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages	CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：492.58 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD13302W	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單路、17.1mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 這款 14.6mΩ、12V N 通道器件設(shè)計(jì)用于在超薄且具有出色散熱特性的 1mm × 1mm 小外形封裝內(nèi)提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷。 ? 超低導(dǎo)通電阻\n? 低 Qg 和 Qgd\n? 1mm x 1mm 小尺寸封裝\n? 低高度（高度為 0.62mm）\n? 無鉛\n? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素;	TI 德州儀器	TI

技術(shù)參數(shù)

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
17.1
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
29
QG typ (nC)：
6
QGD typ (nC)：
2.1
Package (mm)：
WLP 1.0x1.0
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
1
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
1.6
ID - package limited (A)：
1.6
Logic level：
Yes

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市豪邁興電子有限公司	CSD13302W	TI(德州儀器)	24+	DSBGA-4	6824	只做原裝現(xiàn)貨假一罰十!價(jià)格最低!只賣原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市華斯頓科技有限公司	CSD13302W	TI	25+23+	DSBGA-4	44091	絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨	詢價(jià)
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