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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CSD13202Q2	文件：865.9 Kbytes Page：12 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1322/marking.html">1322；Package：WSON；CSD13202Q2 12-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs 1 Features ? Ultra-Low Qg and Qgd ? Low Thermal Resistance ? Avalanche Rated ? Lead-Free Terminal Plating ? RoHS Compliant ? Halogen Free ? SON 2-mm × 2-mm Plastic Package 2 Applications ? Optimized for Load Switch Applications ? Storage, Tablets, and Handheld Devices ? Optimized for 文件：865.9 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD13202Q2	文件：719.25 Kbytes Page：11 Pages	12V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：719.25 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD13202Q2	文件：715.37 Kbytes Page：11 Pages	12V N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：715.37 Kbytes 頁數(shù)：11 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD13202Q2	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 2mm x 2mm SON 封裝的單路、9.3mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 此 12V、7.5mΩ NexFET?功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載管理應(yīng)用中的損耗。該 SON 2 × 2 封裝尺寸可提供出色的熱性能。 ? 超低 Qg 和 Qgd \n? 低熱阻\n? 雪崩級(jí)\n? 無鉛引腳鍍層\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素\n? 小外形尺寸無引線 (SON) 2mm x 2mm 塑料封裝;	TI 德州儀器	TI
CSD13202Q2.B	文件：865.9 Kbytes Page：12 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1322/marking.html">1322；Package：WSON；CSD13202Q2 12-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs 1 Features ? Ultra-Low Qg and Qgd ? Low Thermal Resistance ? Avalanche Rated ? Lead-Free Terminal Plating ? RoHS Compliant ? Halogen Free ? SON 2-mm × 2-mm Plastic Package 2 Applications ? Optimized for Load Switch Applications ? Storage, Tablets, and Handheld Devices ? Optimized for 文件：865.9 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	TI 德州儀器	TI
CSD13202Q2G4.B	文件：865.9 Kbytes Page：12 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/1322/marking.html">1322；Package：WSON；CSD13202Q2 12-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs 1 Features ? Ultra-Low Qg and Qgd ? Low Thermal Resistance ? Avalanche Rated ? Lead-Free Terminal Plating ? RoHS Compliant ? Halogen Free ? SON 2-mm × 2-mm Plastic Package 2 Applications ? Optimized for Load Switch Applications ? Storage, Tablets, and Handheld Devices ? Optimized for 文件：865.9 Kbytes 頁數(shù)：12 Pages	TI 德州儀器	TI

技術(shù)參數(shù)

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
9.3
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
76
QG typ (nC)：
5.1
QGD typ (nC)：
0.76
Package (mm)：
SON2x2
VGS (V)：
8
VGSTH typ (V)：
0.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
14.4
ID - package limited (A)：
22
Logic level：
Yes

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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