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| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
CSD13201W10 | N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.27407 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD13201W10 | N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.26523 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages | TI 德州儀器 | TI | |
CSD13201W10 | 采用 1mm x 1mm WLP 封裝的單路、34mΩ、12V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 此器件設(shè)計用于在 超低高度并具有出色散熱特性的 盡可能小外形尺寸封裝內(nèi)產(chǎn)生最低的導(dǎo)通 電阻和柵極電荷。 在 1 in22 盎司純銅 (Cu) (2 oz.) 且厚度為 0.060\" 的環(huán)氧板 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上，RθJA=105°C/W （典型值）。脈寬 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% ? 超低柵極電荷 (Qg) 和柵漏電荷 (Qgd)\n? 小型封裝尺寸 1mm x 1mm\n? 低高度（高度為 0.62mm）\n? 無鉛\n? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n? 無鹵素\n? 柵 - 源電壓鉗位; | TI 德州儀器 | TI | |
N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：1.27407 Mbytes 頁數(shù)：15 Pages | TI 德州儀器 | TI |
技術(shù)參數(shù)
- Configuration：
Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
34
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
20.2
- QG typ (nC)：
2.3
- QGD typ (nC)：
0.3
- Package (mm)：
WLP 1.0x1.0
- VGS (V)：
8
- VGSTH typ (V)：
0.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
1.6
- ID - package limited (A)：
1.6
- Logic level：
Yes
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Texas Instruments |
2131 |
NA |
1113 |
自營現(xiàn)貨,只做正品 |
詢價 | ||
TI |
21+ |
MA |
20000 |
鍘熻姝e搧緇濆浼樺娍 |
詢價 | ||
TI |
25+ |
DSBGA |
21000 |
原裝正品現(xiàn)貨,原廠訂貨,可支持含稅原型號開票。 |
詢價 | ||
TEXAS INSTRUMENTS |
21+ |
DSBGA4 |
9600 |
全新原裝正品!一手貨源價格優(yōu)勢! |
詢價 | ||
TI |
23+ |
DSBGA-4 |
8560 |
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣! |
詢價 | ||
TI |
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | |||
TI |
16+ |
DSBGA |
10000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
TI(德州儀器) |
2447 |
DSBGA |
315000 |
3000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨, |
詢價 | ||
TI |
25+ |
4-BGA |
3675 |
就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件! |
詢價 | ||
TI |
21+ |
DSBGA-4 |
1568 |
10年芯程,只做原裝正品現(xiàn)貨,歡迎加微信垂詢! |
詢價 |
更多CSD13201W10供應(yīng)商
更新時間2026-1-22 14:01:00
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- TD62308APG
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