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CS2N60F	文件：448.95 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS2N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for sys 文件：448.95 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	HUAJING-MICRO 華潤微電子	HUAJING-MICRO
CS2N60FA9H	文件：448.95 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS2N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for sys 文件：448.95 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	HUAJING-MICRO 華潤微電子	HUAJING-MICRO
CS2N60F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Planar MOSFET	Convert 鍇威特	Convert
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CS2N60FA9R	文件：300 bytes Page：1 Pages	300V-900V NMOS	CRMICRO 華潤微電子	CRMICRO

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