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CPD82X	文件：31.17 Kbytes Page：1 Pages	Schottky Diode High Current, Low VF Schottky Diode Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 14.6 x 14.6 MILS Die Thickness 5.5 MILS Anode Bonding pad Area 11.8 x 11.8 MILS Top Side Metalization Al - 30,000? Back Side Metalization Au - 12,000? 文件：31.17 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CPD82X_10	文件：403.16 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diode High Current, Low VF Schottky Diode Chip 文件：403.16 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CPD82X-CMDSH2-3	文件：465.64 Kbytes Page：4 Pages	Schottky Diode Die 0.2 Amp, 30 Volt 文件：465.64 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CPD82X-CMDSH2-3	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: 0.2A, Low VF, Schottky Diode	Central	Central

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更多CPD82X供應商更新時間2021-9-14 10:50:00