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首頁 >CPD64>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CPD64	文件：209.87 Kbytes Page：2 Pages	Low Leakage Diode Low Leakage Diode Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 17.5 x 17.5 MILS Die Thickness 8.0 MILS Anode Bonding Pad Area 8.0 MILS DIAMETER Top Side Metalization Al - 30,000? Back Side Metalization Au - 6,000? 文件：209.87 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CPD64-1N3595-CT	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CPD64-1N3595-CT	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CPD64-1N3595-WN	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CPD64-1N3595-WN	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CPD64-1N3595-WR	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CPD64-1N3595-WR	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CPD64-1N485B-CT	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CPD64-1N485B-CT	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CPD64-CLL459A-CT	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	CENTRAL	CENTRAL

技術(shù)參數(shù)

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 17.500 X 17.500
VRRM MAX：
150V
Io MAX：
150mA
IFSM MAX：
500mA
IR MAX：
1nA
@VR：
125V
VF MAX：
690mV
@IF：
1mA
trr MAX：
3μs
CJ MAX：
8pF

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多CPD64供應(yīng)商更新時間2026-1-20 17:06:00

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