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CPC5602C	文件：76.71 Kbytes Page：4 Pages	N Channel Depletion Mode FET Description The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clare’s proprietary third generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an economical silicon gate process. The vertical DMO 文件：76.71 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CLARE Clare, Inc.	CLARE
CPC5602C	文件：85.3 Kbytes Page：3 Pages	N Channel Depletion Mode FET Description The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clare’s proprietary third generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an economical silicon gate process. The vertical DMO 文件：85.3 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	CLARE Clare, Inc.	CLARE
CPC5602C	文件：112.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Depletion Mode FET Description The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes IXYS Integrated Circuits Division’s proprietary third generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an economical silicon ga 文件：112.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	IXYS 艾賽斯	IXYS
CPC5602C	文件：111.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Depletion Mode FET 文件：111.34 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CLARE Clare, Inc.	CLARE
CPC5602CTR	文件：85.3 Kbytes Page：3 Pages	N Channel Depletion Mode FET Description The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clare’s proprietary third generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an economical silicon gate process. The vertical DMO 文件：85.3 Kbytes 頁(yè)數(shù)：3 Pages	CLARE Clare, Inc.	CLARE
CPC5602CTR	文件：112.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Depletion Mode FET Description The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes IXYS Integrated Circuits Division’s proprietary third generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an economical silicon ga 文件：112.77 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	IXYS 艾賽斯	IXYS
CPC5602CTR	文件：76.71 Kbytes Page：4 Pages	N Channel Depletion Mode FET Description The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clare’s proprietary third generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an economical silicon gate process. The vertical DMO 文件：76.71 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CLARE Clare, Inc.	CLARE
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CPC5602C
功能描述：
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 350V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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深圳市錦達(dá)世紀(jì)科技有限公司	CPC5602C	LITELINK	04+		2000		詢價(jià)
深圳市福安甌科技有限公司	CPC5602C	CLARE	25+	SOT-223	3500	福安甌為您提供真芯庫(kù)存,真誠(chéng)服務(wù)	詢價(jià)
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更多CPC5602C供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 13:57:00

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