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CP329V	文件：42.74 Kbytes Page：1 Pages	Small Signal Transistor NPN- Silicon Darlington Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 27 x 27 MILS Die Thickness 7.1 MILS Base Bonding Pad Area 4.2 x 4.2 MILS Emitter Bonding Pad Area 4.3 x 4.3 MILS Top Side Metalization Al - 30,000? Back Side Metalization Au - 13,000? 文件：42.74 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP329V-MPSA28	文件：532.89 Kbytes Page：4 Pages	NPN - Darlington Transistor Die 0.5 Amp, 80 Volt 文件：532.89 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP329V-MPSA29	文件：532.65 Kbytes Page：4 Pages	NPN - Darlington Transistor Die 0.5 Amp, 100 Volt 文件：532.65 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP329V	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistor NPN- Silicon Darlington Transistor Chip	Central	Central
CP329V-MPSA29	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: High Voltage Darlington Chip Central Semiconductor	Central	Central

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更多CP329V供應(yīng)商更新時間2026-1-19 16:30:00