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CP315V	文件：39.57 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistors NPN - High Current Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 40 x 40 MILS Die Thickness 7.1 MILS Base Bonding Pad Area 7.9 x 8.7 MILS Emitter Bonding Pad Area 9.0 x 14 MILS Top Side Metalization Al - 30,000? Back Side Metalization Au - 12,000? 文件：39.57 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CP315V_10	文件：409.89 Kbytes Page：2 Pages	Power Transistors NPN - High Current Transistor Chip 文件：409.89 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
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CP315V-CZT3150	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: High Current Transistor	Central	Central

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更多CP315V供應(yīng)商更新時間2026-1-20 15:25:00