| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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CP305 | Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 31 x 31 MILS Die Thickness 9.0 MILS Base Bonding Pad Area 5.9 x 11.8 MILS Emitter Bonding Pad Area 6.5 x 13.8 MILS Top Side Metalization Al - 30,000? Back Side Metalization Au - 18,000? 文件：211.1 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | CENTRAL | CENTRAL | |
CP305 | Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip | Central | Central | |
NPN - High Current Transistor Die PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 31 x 31 MILS Die Thickness 9.0 MILS Base Bonding Pad Area 5.9 x 11.8 MILS Emitter Bonding Pad Area 6.5 x 13.8 MILS Top Side Metalization Al - 30,000? Back Side Metalization Au - 18,000? 文件：575.04 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip 文件：476 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
4 WAY FACEPLATE 文件：178.44 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | CLIFF | CLIFF | ||
4 WAY FACEPLATE 文件：178.44 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages | CLIFF | CLIFF | ||
P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
NPN - Small Signal Transistor Die 45 Volt 文件：625.85 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | CENTRAL | CENTRAL | ||
NPN - Small Signal Transistor Die 50 Volt 文件：398.5 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | CENTRAL | CENTRAL |
技術(shù)參數(shù)
- IT：
30A
- IGT：
10-50mA
- VDRM(V)：
1200
- VRRM(V)：
1200
- VTM(V)：
1.65
- Package：
TO-263
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CENTRAL |
25+ |
模具 |
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Central |
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NA |
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500000 |
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ATCDiversifiedElectronic |
新 |
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全新原裝 貨期兩周 |
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