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CP273	文件：129.07 Kbytes Page：2 Pages	Power Transistor NPN- Silicon Power Transistor Chip PROCESS DETAILS Die Size 68 x 68 MILS Die Thickness 8.5 MILS ± 0.6 MILS Base Bonding Pad Area 17.7 x 10.2 MILS Emitter Bonding Pad Area 18.1 x 8.9 MILS Top Side Metalization Al - 30,000? Back Side Metalization Ag - 14,000? 文件：129.07 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CTCVCF-273J	文件：114.76 Kbytes Page：1 Pages	Power Coated Inductors - Axial 文件：114.76 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	CT Central Technologies	CT
CTCVCF-273K	文件：114.76 Kbytes Page：1 Pages	Power Coated Inductors - Axial 文件：114.76 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	CT Central Technologies	CT
CTCVCF-273M	文件：114.76 Kbytes Page：1 Pages	Power Coated Inductors - Axial 文件：114.76 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	CT Central Technologies	CT

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更多CP273供應商更新時間2026-1-21 15:09:00