Power Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip

PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 63 x 63 MILS Die Thickness 10 MILS Base Bonding Pad Area 9 x 12 MILS Emitter Bonding Pad Area 10 x 18 MILS Top Side Metalization Al - 16,000? Back Side Metalization Au - 12,000?

文件：203.26 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages

CENTRAL

Power Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip

Central

雙/四路電容性觸摸檢測(cè)芯片

CP2680 是一款 4 通道/2 通道電容檢測(cè)芯片，具有高效的 RF 噪音抑制功能，能夠準(zhǔn)確識(shí)別手指觸摸引起的微小電容變化，適用于用觸摸按鍵替代機(jī)械按鍵等應(yīng)用場(chǎng)合；具有實(shí)時(shí)的自校準(zhǔn)和基線跟蹤算法，能有效避免因環(huán)境因素變化而引起按鍵誤觸等情況；可以通過 PWM 信號(hào)獲得按鍵觸發(fā)狀態(tài)； CP2680 DSP 中內(nèi)置先進(jìn)的檢測(cè)算法，能夠有效防止水膜引起的誤觸及抑制干擾噪音。 ? 支持 4 個(gè)/2 個(gè)感應(yīng)按鍵\r\n? PWM 指示按鍵觸發(fā)狀態(tài)，能有效減少模擬輸出口的電阻網(wǎng)絡(luò)\r\n? 支持 I/O 口開漏輸出指示按鍵觸發(fā)狀態(tài)\r\n? 高效的 RF 噪音抑制\r\n? 能夠防水\r\n? 自動(dòng)基線跟蹤和自校準(zhǔn)\r\n? 簡單的靈敏度調(diào)節(jié)，只需調(diào)整一個(gè)外部電容（ Cs）即可\r\n? 鄰鍵抑制\r\n? 低功耗\r\n? 電源電壓 2.8-5.5V\r\n? 封裝為 SOP8， SOP14， QFN3x3-16L;

Chiphomer

啟攀微電子

雙/四路電容性觸摸檢測(cè)芯片

CP2680 是一款 4 通道/2 通道電容檢測(cè)芯片，具有高效的 RF 噪音抑制功能，能夠準(zhǔn)確識(shí)別手指觸摸引起的微小電容變化，適用于用觸摸按鍵替代機(jī)械按鍵等應(yīng)用場(chǎng)合；具有實(shí)時(shí)的自校準(zhǔn)和基線跟蹤算法，能有效避免因環(huán)境因素變化而引起按鍵誤觸等情況；可以通過 PWM 信號(hào)獲得按鍵觸發(fā)狀態(tài)； CP2680 DSP 中內(nèi)置先進(jìn)的檢測(cè)算法，能夠有效防止水膜引起的誤觸及抑制干擾噪音。 ? 支持 4 個(gè)/2 個(gè)感應(yīng)按鍵\r\n? PWM 指示按鍵觸發(fā)狀態(tài)，能有效減少模擬輸出口的電阻網(wǎng)絡(luò)\r\n? 支持 I/O 口開漏輸出指示按鍵觸發(fā)狀態(tài)\r\n? 高效的 RF 噪音抑制\r\n? 能夠防水\r\n? 自動(dòng)基線跟蹤和自校準(zhǔn)\r\n? 簡單的靈敏度調(diào)節(jié)，只需調(diào)整一個(gè)外部電容（ Cs）即可\r\n? 鄰鍵抑制\r\n? 低功耗\r\n? 電源電壓 2.8-5.5V\r\n? 封裝為 SOP8， SOP14， QFN3x3-16L;

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