CMPA1D1E030D中文資料WOLFSPEED數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	CMPA1D1E030D
功能描述	30 W, 13.75 - 14.5 GHz, 40 V GaN MMIC, Power Amplifier
文件大小	1.09631 Mbytes
頁面數(shù)量	7 頁
生產(chǎn)廠商	WOLFSPEED
網(wǎng)址	網(wǎng)址
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更新時間	2026-1-19 12:04:00
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描述 Description

Wolfspeed’s CMPA1D1E030D is a gallium nitride (GaN) High Electron

Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated

circuit (MMIC) on a Silicon Carbide substrate, using a 0.25 μm gate

length fabrication process. GaN-on-SiC has superior properties

compared to silicon, gallium arsenide or GaN-on-Si, including higher

breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher

thermal conductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and

wider bandwidths compared to Si, GaAs, and GaN-on-Si transistors.

特性 Features

? 27 dB Small Signal Gain

? 30 W Typical PSAT

? Operation up to 40 V

? High Breakdown Voltage

? High Temperature Operation

Applications

? Satellite Communications Uplink

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