S-8 Single Contact Bayonet Base

S-8 Single Contact Bayonet Base Chicago Miniature Lamp reserves the right to make specification revisions that enhance the design and/or performance of the product

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CML

Single Contact Bayonet Base

S-8 Single Contact Bayonet Base

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VCC

內(nèi)置MOSFET單節(jié)鋰電池保護(hù)IC

CM110X/111X系列產(chǎn)品是高集成度的二合一單節(jié)錁電池保護(hù)芯片，采用高電壓CMOS工藝，內(nèi)部集成了保護(hù)IC和MOSFET，可為電池提供過充電、過放電、放電過電流、充電過電流、短路等保護(hù)功能，同時具備休眠功能，在低電芯電壓條件下可實(shí)現(xiàn)對電芯的保護(hù)，并保證極低的自耗電，具有高集成度、高精度、低功耗及高耐壓等特點(diǎn)。CM1124/1126/1130/112E/2124系列產(chǎn)品是高集成度的二合一單節(jié)鋰電池保護(hù)芯片，可為電池提供過充電、過放電、放電過電流、充電過電流、短路等保護(hù)功能，芯片具有高集成度、高精度、低功耗和體積小等特點(diǎn)。同時CM126B、CM1130系列產(chǎn)品支持船運(yùn)模式，使小容量電池滿足海運(yùn)

ICM

創(chuàng)芯微微電子

VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR

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SYNERGY

ISDN U Interface Transformers

文件：38.25 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages

PCA

50Ω SE-In – 100Ω DIFF-Out Amplifier 3.0GHz to 4.2GHz

Features RF range: 3.0GHz to 4.2GHz Gain = 19dB at 3.55GHz Noise figure = 1.8dB at 3.55GHz OIP3 = +32dBm at 3.55GHz Output P1dB = +18dBm at 3.55GHz Gain variation over temperature = ±0.15dB typical 50Ω single-ended input impedances 100Ω differential output impedances 3.3V or 5V p

文件：2.084909 Mbytes 頁數(shù)：22 Pages

RENESAS

瑞薩