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CP764X	文件：704.37 Kbytes Page：2 Pages	Small Signal MOSFET Transistor P-Channel Enhancement-Mode Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 21.7 x 17.7 MILS Die Thickness 5.5 MILS Gate Bonding Pad Area 4.7 x 4.7 MILS Source Bonding Pad Area 6.1 x 7.9 MILS Top Side Metalization Al-Si - 35,000? Back Side Metalization Au - 12,000? 文件：704.37 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
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深圳市瑞新盛科技有限公司	CLB80R180M	CONVERT/鍇威特	24+	SMD	5000	原裝正品保障優(yōu)勢供應(yīng)	詢價
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更多CLB764供應(yīng)商更新時間2026-1-19 11:16:00