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CGHV96130F	文件：1.27282 Mbytes Page：13 Pages	130 W, 8.4 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMT Description Wolfspeed’s CGHV96130F is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on Silicon Carbide (SiC) substrates. This GaN Internally Matched (IM) FET offers excellent power added efficiency in comparison to other technologies. GaN has superior properties compared to 文件：1.27282 Mbytes 頁數(shù)：13 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
CGHV96130F	文件：300 bytes Page：1 Pages	130 W; 8.4 - 9.6 GHz; 50 ohm; Input/Output Matched GaN HEMT for X-Band Radar Applications The CGHV96130F is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on Silicon Carbide (SiC) substrates. This GaN Internally Matched (IM) FET offers excellent power added efficiency in comparison to other technologies. GaN has superior properties compared to gallium arsenide; includin ·166 W POUT typical\n·7.5 dB Power Gain\n·42% Typical PAE\n·50 Ohm Internally Matched\n·<0.3 dB Power Droop;	MACOM	MACOM
CGRM4007-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOD123	COMCHIP 典琦上傳：深圳市粵科源興科技有限公司	COMCHIP

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更多CGHV96130F供應(yīng)商更新時間2026-1-20 10:07:00