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CGHV27200-TB	文件：1.16049 Mbytes Page：12 Pages	200 W, 2500-2700 MHz, GaN HEMT for LTE 文件：1.16049 Mbytes 頁數(shù)：12 Pages	CREE 科銳	CREE
NE27200	文件：39.82 Kbytes Page：8 Pages	C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP DESCRIPTION NE32500 and NE27200 are Hetero Junction FET chip that utilizes the hetero junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for commercial systems, industrial and space applications. 文件：39.82 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	NEC 瑞薩	NEC
NE27200	文件：199.18 Kbytes Page：10 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION NE32500 and NE27200 are Hetero Junction FET chip that utilizes the hetero junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for commercial systems, industrial and space application 文件：199.18 Kbytes 頁數(shù)：10 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS

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更多CGHV27200P供應商更新時間2021-9-14 10:50:00