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型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CEU655	文件：655.56 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 150V, 6.4A, RDS(ON) = 0.45Ω @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. 文件：655.56 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEU655	文件：1.01018 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES ? TrenchFET? Power MOSFET ? 175 °C Junction Temperature ? PWM Optimized ? 100 Rg Tested ? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS ? Primary Side Switch 文件：1.01018 Mbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
CEU655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 150V, 6.4A, RDS(ON) = 0.45W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. 文件：641.54 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEU655	文件：1.27835 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.27835 Mbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CEU655	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 華瑞	CET

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深圳市澳億芯電子科技有限公司	CEU655	CET	25+	TO-252	8715	現(xiàn)貨	詢價(jià)
艾睿（深圳）半導(dǎo)體有限公司	CEU655	VBsemi(臺(tái)灣微碧)	2447	TO-252	105000	2500個(gè)/圓盤一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,	詢價(jià)
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	CEU655	CET/華瑞	20+	TO-252	32500	現(xiàn)貨很近!原廠很遠(yuǎn)!只做原裝	詢價(jià)
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更多CEU655供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 9:04:00