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CEP25A03	文件：447.17 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 215A, RDS(ON) = 2 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) = 2.3 mW @VGS = 9V. RoHS compliant. 文件：447.17 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP25A03	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 華瑞	CET
FG25A03	文件：192.23 Kbytes Page：2 Pages	25.0 Amps. Glass Passivated Power Rectifiers High reliability 文件：192.23 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	FCI 富加宜	FCI
CEB25A03	文件：447.17 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 215A, RDS(ON) = 2 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) = 2.3 mW @VGS = 9V. RoHS compliant. 文件：447.17 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS

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更多CEP25A03供應商更新時間2026-1-22 9:04:00