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CEP22N06	文件：376.53 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 21.8A, RDS(ON) = 50mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 60mW @VGS = 5V. 文件：376.53 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP22N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 華瑞	CET
NTB22N06	文件：200.17 Kbytes Page：7 Pages	N??hannel Enhancement??ode Silicon Gate 文件：200.17 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
NTB22N06L	文件：200.14 Kbytes Page：7 Pages	N??hannel Power MOSFET 文件：200.14 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI
NTP22N06	文件：200.17 Kbytes Page：7 Pages	N??hannel Enhancement??ode Silicon Gate 文件：200.17 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	ONSEMI 安森美半導體	ONSEMI

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更多CEP22N06供應商更新時間2026-1-22 16:43:00