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型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CEP1185	文件：626.2 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：626.2 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEP1185	文件：362.71 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：362.71 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP1186	文件：640.2 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：640.2 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP1188	文件：905.88 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：905.88 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP1188SA	文件：421.19 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：421.19 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP1194	文件：560.71 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：560.71 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP1195	文件：583.01 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：583.01 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP1195	文件：437.74 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：437.74 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEP11N65S	文件：532.19 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：532.19 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEP125N15	文件：424.12 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：424.12 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS

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技術參數(shù)

Ppp(W)：
200
VRWM(V)：
160
VBRMin(V)：
178
VBRMax(V)：
197
IR(uA)：
1
it(mA)：
1
VC(V)：
259
IPP(A)：
0.7
Package：
SOD-123FL

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
中天科工半導體（深圳）有限公司	SMF160CA	TWGMC臺灣迪嘉	25+	SOD-123FL	36000	TWGMC臺灣迪嘉原裝現(xiàn)貨SMF160CA即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂	詢價
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深圳誠思涵科技有限公司	SMF160CA	MCC	19+	SOD-123FL	200000		詢價
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深圳市英瑞爾電子科技有限公司	SMF160CA	MCC	24+	SOD-123FL	85400	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價
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天津市博通航睿技術有限公司	SMF160CA	ANBON			10		詢價

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