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CEM3259	文件：450.04 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES ■ 30V, 7.6A, RDS(ON) = 22mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 32mΩ @VGS = 4.5V. ■ -30V, -5.9A, RDS(ON) = 36mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 52mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capabili 文件：450.04 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	CET 華瑞	CET
CEM3259	文件：829.86 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) 30V, 7.6A, RDS(ON) = 22mW @VGS = 10V. FEATURES RDS(ON) = 33mW @VGS = 4.5V. -30V, -5.9A, RDS(ON) = 36mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 52mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. Lead free product is ac 文件：829.86 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEM3259	文件：300 bytes Page：1 Pages	N+P Power MOSFET	CET 華瑞	CET
CEM3259_10	文件：616.52 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) 文件：616.52 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	CET 華瑞	CET

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更多CEM3259供應(yīng)商更新時間2026-1-19 14:03:00