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CEF08N6A	文件：607.32 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：607.32 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEF08N6A	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 華瑞	CET
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CEP08N6A	文件：380.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP08N6A 600V 1.25Ω 7.5A 10V CEB08N6A 600V 1.25Ω 7.5A 10V CEF08N6A 600V 1.25Ω 7.5A 10V ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Le 文件：380.82 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEU08N6A	文件：623.7 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 600V, 6.2A, RDS(ON) = 1.25W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. 文件：623.7 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS

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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	CEF08N6A	VBsemi	23+	TO220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
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更多CEF08N6A供應(yīng)商更新時間2026-1-20 13:44:00