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首頁 >CED16N10>規(guī)格書列表

型號	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CED16N10	文件：628.86 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 100V, 13.3A, RDS(ON) = 120mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. 文件：628.86 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CED16N10	文件：353.55 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 120mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead free product is acquired. 文件：353.55 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CED16N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 華瑞	CET
CED16N10L	文件：690 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 100V, 13.3A, RDS(ON) = 115mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 125mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. 文件：690 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CED16N10L	文件：491.95 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 115mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 125mW @VGS = 5V. 文件：491.95 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CED16N10SL	文件：518.02 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 12A, RDS(ON) = 120mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 165mW @VGS = 3V. RDS(ON) = 130mW @VGS = 5V. 文件：518.02 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CED16N10L	文件：1.33831 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.33831 Mbytes 頁數(shù)：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CED16N10L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 華瑞	CET
CED16N10SL	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 華瑞	CET

技術(shù)參數(shù)

BVDSS(V)：
100
Rds(on)mΩ@10V：
120
ID(A)：
13.3
Qg(nC)@10V(typ)：
12
RθJC(℃/W)：
3.5
Pd(W)：
43
Configuration：
Single
Polarity：
N

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市明嘉萊科技有限公司	CED16N10	CET/華瑞	25+	TO-251	156527	明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	CED16N10	CET	20+	TO-251	38900	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CED16N10	CET/華瑞	2022+	TO-251	50000	原廠代理終端免費提供樣品	詢價
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	CED16N10	CET	21+	TO-251	10	一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	CED16N10	CET	23+	TO-251	10065	原裝正品,有掛有貨,假一賠十	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	CED16N10	CET	23+	TO-251	50	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市科芯源微電子有限公司	CED16N10	CET	25+	TO-251	10	原裝正品,假一罰十!	詢價
深圳誠思涵科技有限公司	CED16N10	PHI	24+	TSOP	17860	公司現(xiàn)貨庫存,支持實單	詢價
深圳市華來深電子有限公司	CED16N10L	VBsemi	23+	TO-251	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CED16N10L	CET/華瑞	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價

更多CED16N10供應(yīng)商更新時間2026-1-20 17:56:00

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