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CEB83A3	文件：100.44 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 100A, RDS(ON) = 5.3m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 8.0m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：100.44 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEB83A3	文件：651.05 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 100A, RDS(ON) = 5.3mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) = 8.0mW @VGS = 4.5V. Lead free product is acquired. 文件：651.05 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEB83A3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 華瑞	CET
CEB83A3G	文件：735.63 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 102A, RDS(ON) = 4.2 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) = 6.2 mW @VGS = 4.5V. RoHS compliant. 文件：735.63 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEB83A3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 華瑞	CET

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深圳市亞泰盈科電子有限公司	CEB83A3	CET		TO-263	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價(jià)
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更多CEB83A3供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 14:01:00