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首頁(yè) >CEB6086>規(guī)格書(shū)列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CEB6086	文件：418.87 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 70A, RDS(ON) = 9.2mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：418.87 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6086	文件：401.04 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 70A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 9.2mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：401.04 Kbytes 頁(yè)數(shù)：2 Pages	ISC 無(wú)錫固電	ISC
CEB6086	文件：633.57 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 70A, RDS(ON) = 9.2mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired. 文件：633.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEB6086	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CET 華瑞	CET
CEB6086L	文件：440.36 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 72A, RDS(ON) = 10mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 13.5mW @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：440.36 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6086L	文件：666.62 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 72A, RDS(ON) = 10mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 13.5mW @VGS = 4.5V. 文件：666.62 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEB6086L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 華瑞	CET

技術(shù)參數(shù)

BVDSS(V)：
60
Rds(on)mΩ@10V：
10
Rds(on)mΩ@4.5V：
13.5
ID(A)：
72
Qg(nC)@4.5V(typ)：
33
RθJC(℃/W)：
2
Pd(W)：
75
Configuration：
Single
Polarity：
N

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CEB6086L	CET/華瑞	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CEB6086L	CET/華瑞	2022+	TO-263	800	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	CEB6086L	CET/華瑞	23+	TO-263	122999	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	CEB6086L	CET/華瑞	20+	TO-263	300000	現(xiàn)貨很近!原廠很遠(yuǎn)!只做原裝	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	CEB6086L	CET	25+	TO-263	12300	獨(dú)立分銷(xiāo)商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市博中泰實(shí)業(yè)有限公司	CEB6086L	CET/華瑞	24+	TO-263	60000		詢價(jià)
深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司	CEB6086L	NK/南科功率	2025+	TO-263	986966	國(guó)產(chǎn)	詢價(jià)
深圳市盈慧通電子有限公司	CEB6086L	CET/華瑞	2511	TO-263	360000	電子元器件采購(gòu)降本30%!原廠直采,砍掉中間差價(jià)	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	CEB60N06G	VBsemi	21+	TO263	10065	一級(jí)代理,專注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市中聯(lián)芯電子有限公司	CEB60N06G	VBsemi	24+	TO263	11000	原裝正品有掛有貨假一賠十	詢價(jià)

更多CEB6086供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 9:53:00

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