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首頁(yè) >CEB6060>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購(gòu)	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CEB6060	文件：510.01 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：510.01 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6060	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CET 華瑞	CET
CEB6060L	文件：516.75 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 50A,RDS(ON) = 20mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 25mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：516.75 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6060L	文件：544.55 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 52.4A,RDS(ON) = 21mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 25mW @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired. 文件：544.55 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEB6060LR	文件：534.57 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● 60V, 60A,RDS(ON) = 20mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 25mΩ @VGS = 5V. ● Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ● High power and current handing capability. ● TO-220 & TO-263 package. 文件：534.57 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6060N	文件：624.91 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 42A, RDS(ON) = 25mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired. 文件：624.91 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CEB6060N	文件：426.55 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 42A, RDS(ON) = 25mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：426.55 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6060R	文件：527.84 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：527.84 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6060L	文件：405.18 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：405.18 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6060R	文件：81.68 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：81.68 Kbytes 頁(yè)數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET

技術(shù)參數(shù)

BVDSS(V)：
60
Rds(on)mΩ@10V：
21
Rds(on)mΩ@5V：
25
ID(A)：
52.4
Qg(nC)@10V(typ)：
45
RθJC(℃/W)：
1.24
Pd(W)：
120
Configuration：
Single
Polarity：
N

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	CEB6060	CET	24+	TO-263	1335		詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	CEB6060	CET	24+	TO-263	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	CEB6060	CET/華瑞	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	CEB6060	CET/華瑞	23+	TO-263	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	CEB6060	CET/華瑞	23+	TO-263	13550	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市威雅利發(fā)展有限公司	CEB6060	CET/華瑞	01+	TO-263	1335	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	CEB6060	CET/華瑞	22+	TO-263	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價(jià)
深圳市旺財(cái)半導(dǎo)體有限公司	CEB6060	CET	23+	TO-263	4000	正品原裝貨價(jià)格低	詢價(jià)
上海凌岳電子科技有限公司（上海涵恩科技）	CEB6060	CET	2023+		3000	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	CEB6060	CET	2023+	TO-263	50000	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多CEB6060供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 16:30:00

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