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首頁 >CEB603>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
CEB603	文件：515.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：515.34 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB603	文件：529.22 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：529.22 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB603	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	CET 華瑞	CET
CEB6030AL	文件：516.69 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 30V, 52A, RDS(ON) = 11m? (typ) @VGS = 10V. RDS(ON) = 16m? (typ) @VGS = 5V. ■ Extra low gate charge. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：516.69 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6030L	文件：516.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● 30V, 52A, RDS(ON)=13.5mΩ @VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ @VGS=4.5V. ● Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ● High power and current handling capability. ● TO-220 & TO-263 package 文件：516.77 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6030LS2	文件：530.47 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● 30V, 52A, RDS(ON)=13.5mΩ @VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ @VGS=4.5V. ● Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ● High power and current handling capability. ● TO-220 & TO-263 package 文件：530.47 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6031L	文件：513.64 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ? 30V, 60A, RDS(ON)=10mΩ @VGS=10V. RDS(ON)=15mΩ @VGS=4.5V. ? Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ? High power and curent handing capability. ? TO-220 & TO-263 package. 文件：513.64 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6031LS2	文件：531.57 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 30V, 60A, RDS(ON) = 13.5m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 18.5m? @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：531.57 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6036	文件：427.23 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 60V, 135A, RDS(ON) = 4.6mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead-free plating ; RoHS compliant. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：427.23 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEB6036L	文件：695.63 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 144A, RDS(ON) = 4.0mW @VGS = 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. RDS(ON) = 5.5mW @VGS = 4.5V. 文件：695.63 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS

技術(shù)參數(shù)

BVDSS(V)：
60
Rds(on)mΩ@10V：
4.6
ID(A)：
135
Qg(nC)@10V(typ)：
138
RθJC(℃/W)：
0.9
Pd(W)：
167
Configuration：
Single
Polarity：
N

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	CEB603AL	CET	23+	TO263	7000	絕對(duì)全新原裝!100%保質(zhì)量特價(jià)!請放心訂購!	詢價(jià)
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深圳市勤思達(dá)科技有限公司	CEB603AL	CET	12+	TO-263	15000	全新原裝,絕對(duì)正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。	詢價(jià)
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更多CEB603供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-19 10:51:00

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