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CA3127M	文件：60.37 Kbytes Page：7 Pages	High Frequency NPN Transistor Array Description The CA3127 consists of five general purpose silicon NPN transistors on a common monolithic substrate. Each of the completely isolated transistors exhibits low 1/f noise and a value of fT in excess of 1GHz, making the CA3127 useful from DC to 500MHz. Access is provided to each of the t 文件：60.37 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	INTERSIL	INTERSIL
CA3127M	文件：455.69 Kbytes Page：9 Pages	絲印：CA3127；Package：16LdSOIC；High Frequency NPN Transistor Array High Frequency NPN Transistor Array The CA3127 consists of five general purpose silicon NPN transistors on a common monolithic substrate. Each of the completely isolated transistors exhibits low 1/f noise and a value of fT in excess of 1GHz, making the CA3127 useful from DC to 500MHz. Access is p 文件：455.69 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
CA3127M	文件：225.4 Kbytes Page：9 Pages	High Frequency NPN Transistor Array 文件：225.4 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
CA3127M96	文件：60.37 Kbytes Page：7 Pages	High Frequency NPN Transistor Array Description The CA3127 consists of five general purpose silicon NPN transistors on a common monolithic substrate. Each of the completely isolated transistors exhibits low 1/f noise and a value of fT in excess of 1GHz, making the CA3127 useful from DC to 500MHz. Access is provided to each of the t 文件：60.37 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	INTERSIL	INTERSIL
CA3127MZ	文件：455.69 Kbytes Page：9 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/ca3127mz/marking.html">CA3127MZ；Package：16LdSOIC；High Frequency NPN Transistor Array High Frequency NPN Transistor Array The CA3127 consists of five general purpose silicon NPN transistors on a common monolithic substrate. Each of the completely isolated transistors exhibits low 1/f noise and a value of fT in excess of 1GHz, making the CA3127 useful from DC to 500MHz. Access is p 文件：455.69 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
CA3127MZ	文件：225.4 Kbytes Page：9 Pages	High Frequency NPN Transistor Array 文件：225.4 Kbytes 頁數(shù)：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
CA3127M	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Frequency NPN Transistor Array High Frequency NPN Transistor Array\n\nThe CA3127 consists of five general purpose silicon NPN transistors on a common monolithic substrate. Each of the completely isolated transistors exhibits low 1/f noise and a value of fT in excess of 1GHz, making the CA3127 useful from DC to 500MHz. ? Gain Bandwidth Product (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . 1GHz\n? Power Gain . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30dB (Typ) at 100MHz\n? Noise Figure. . . . . . . . . . . . . . . . .? 3.5dB (Typ) at 100MHz\n? Five Independent Transistors on a Common Substrate\n? Pb-Free Plus Anneal Available (;	Renesas 瑞薩	Renesas
CA3127MZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
CA3127M
功能描述：
TRANSISTOR ARRAY NPN 16-SOIC
RoHS：
否
類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF 晶體管(BJT)
系列：
-
產(chǎn)品變化通告：
Product Discontinuation 17/Dec/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
晶體管類型：
NPN 電壓 -
集電極發(fā)射極擊穿（最大）：
4.7V 頻率 -
轉(zhuǎn)換：
47GHz
噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）：
0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益：
9dB ~ 31dB 功率 -
最大：
160mW 在某 Ic、Vce
時(shí)的最小直流電流增益(hFE)：
160 @ 25mA，3V 電流 -
集電極(Ic)（最大）：
45mA
安裝類型：
表面貼裝
封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
4-TSFP
包裝：
Digi-Reel®
其它名稱：
BFP 740FESD E6327DKR

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	CA3127M	HARRIS	24+	SMD	200		詢價(jià)
深圳市益百分電子有限公司	CA3127M	INTERSIL	SOP16	00+	42	全新原裝進(jìn)口自己庫存優(yōu)勢	詢價(jià)
上海專毅電子科技有限公司	CA3127M	INTERSIL	17+	SOP16	9988	只做原裝進(jìn)口,自己庫存	詢價(jià)
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	CA3127M	harris	16+	原廠封裝	10000	全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應(yīng),歡迎來電咨詢	詢價(jià)
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深圳市凌旭科技有限公司	CA3127M	HARRIS/哈里斯	21+	SOP16	1709		詢價(jià)
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更多CA3127M供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-18 16:30:00

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