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C8205AN	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信號MOS	ChipNobo 無邊界	ChipNobo
C8205BN	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信號MOS	ChipNobo 無邊界	ChipNobo
CEG8205	文件：123.43 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 20V, 4.5A, RDS(ON) = 30m? @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 40m? @VGS = 2.5V. ■ Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TSSOP-8 for Surface Mount Package. 文件：123.43 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEG8205	文件：939.86 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES ? Halogen-free Option Available ? TrenchFET? Power MOSFETs 文件：939.86 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI
CEG8205A	文件：123.47 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 20V, 6A, RDS(ON) = 21m? (typ) @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 30m? (typ) @VGS = 2.5V. ■ Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TSSOP-8 for Surface Mount Package. 文件：123.47 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET

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更多C8205供應(yīng)商更新時間2026-1-17 14:30:00