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C6D50065D1	文件：888.48 Kbytes Page：8 Pages	6th Generation 650 V, 50 A Silicon Carbide Schottky Diode Description With the performance advantages of a Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier diode, power electronics systems can expect to meet higher efficiency standards than Si-based solutions, while also reaching higher frequencies and power densities. SiC diodes can be easily paralleled to m 文件：888.48 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	WOLFSPEED	WOLFSPEED
C6D50065D1	文件：300 bytes Page：1 Pages	6th Generation 650 V, 50 A Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 50 A, TO-247-3 package, Industrial qualified, Discrete SiC Schottky Diode	Wolfspeed(CREE)	Wolfspeed(CREE)

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