Large Area Silicon Avalanche Photodiode for General-Purpose Applications

[EG&G CANADA LTD.] Large Area Silicon Avalanche Photodiode for General-Purpose Applications

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高性能Si APD

埃賽力達(dá)C30916EH是一種通用硅雪崩光電二極管，采用雙擴(kuò)散“穿透式”結(jié)構(gòu)制成。這種結(jié)構(gòu)能夠在400至1000nm之間提供高響應(yīng)度，并能在所有波長(zhǎng)下實(shí)現(xiàn)極快的上升和下降。\n\n功能與優(yōu)點(diǎn)：\n\n低噪聲\n\n高增益\n\n高量子效率\n\n內(nèi)置熱電致冷選項(xiàng)\n\n應(yīng)用領(lǐng)域：\n\n激光測(cè)距\n\nLiDAR\n\n自由空間通信\n\n分光光度計(jì)\n\n熒光探測(cè) ? 感光面積：1.7 mm2\n? 感光直徑：1.5 mm\n? 擊穿電壓：>315, 390, <490 V\n? 電容：3pF\n? 暗電流：100 nA\n? 增益：80\n? NEP：20 fW/√Hz\n? 封裝：TO-5\n? 峰值靈敏度波長(zhǎng)：900 nm\n? 響應(yīng)度：在900 nm處為>50 A/W，在1060 nm處為12 A/W\n? 上升/下降時(shí)間：3 ns;

Excelitas

埃賽力達(dá)

SMD

TDK

東電化

上傳：君宇國(guó)際實(shí)業(yè)有限公司

SMD

TDK

東電化

上傳：深圳市宇集芯電子有限公司

1206

TDK

東電化

上傳：深圳市宏捷佳電子科技有限公司