Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

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PERKINELMER

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Silicon Avalanche Photodiodes (APDs) for LIDAR, range finding and laser meters ??plastic, leadless ceramic and FR4 packages

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

大容量、高成本效益型Si APD

主要特性：\n\n在635nm處過濾的高響應度\n\n在所有波長處均噪聲低且上升速度極快，響應頻率高于1.5 GHz\n\n230μm感光直徑，針對800nm響應進行了優(yōu)化\n\n635nm光學帶通濾光片\n\n無引腳陶瓷載體選項“LH”\n\n應用領域：\n\nLiDAR\n\n激光測距\n\n安全掃描\n\n需要低成本、高性能探測器的應用 ? 感光直徑：230μm\n? 峰值靈敏度波長：635 nm\n? 擊穿電壓Vbd：120-210（提供分選）\n? 常數(shù)M的工作電壓溫度系數(shù)：0.5 V/°C\n? 增益：在635 nm處為100\n? 響應度：在800 nm處為35 A/W\n? 暗電流Id：0.05 <0.5 nA\n? 噪聲電流：0.1pA/√Hz\n? 電容：1 pF\n? 上升/下降時間：0.2 ns R 負載 = 50?\n? 截止頻率：1.5 GHz\n? 儲存溫度：-50°C至+100°C\n? 工作溫度：-40°C至+85°C\n? 封裝：3x3mm玻璃窗，無引腳陶瓷載體(LCC)\n? 窗口：635 nm;

Excelitas

埃賽力達

大容量、高成本效益型Si APD

主要特性：\n\n在905nm處過濾的高響應度\n\n在所有波長處噪聲低且上升速度極快，響應頻率高于700 MHz\n\n300μm感光直徑，針對800 nm進行了優(yōu)化\n\n905nm光學帶通濾光片\n\n無引腳陶瓷載體選項“LH”\n\n應用領域：\n\n激光測距\n\n測距儀\n\n區(qū)域和安全掃描\n\n需要低成本、高性能探測器的應用 ? 感光直徑：300μm\n\n? 峰值靈敏度波長：905 nm\n\n? 擊穿電壓Vbd：110-165\n\n? 常數(shù)M的工作電壓溫度系數(shù)：0.6V/°C\n\n? 增益：在800 nm處為100\n\n? 響應度：在905 nm處為35A/W\n\n? 暗電流Id：1 nA\n\n? 噪聲電流：0.2pA/√Hz\n\n? 結電容：0.7 pF\n\n? 截止頻率：700 MHz\n\n? 儲存溫度：-40°C至+100°C\n\n? 工作溫度：-20°C至+60°C\n\n? 封裝：3x3mm玻璃窗無引腳陶瓷載體(LCC)\n\n? 窗口：905 nm過濾窗;

Excelitas

埃賽力達

光學傳感器 - 光電二極管

Excelitas

埃賽力達

Package：6-CLCC；包裝：散裝 類別：傳感器，變送器 光學傳感器 - 光電二極管 描述：SENSOR PHOTODIODE 650NM 6CLCC

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