Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

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PERKINELMER

Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

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PERKINELMER

Silicon Avalanche Photodiodes (APDs) for LIDAR, range finding and laser meters ??plastic, leadless ceramic and FR4 packages

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

High Current Switching Applications

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TOSHIBA

東芝

Silicon Photomultipliers with 3x3 mm? active area

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/c3074/marking.html">C3074；Package：SC-73；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TOSHIBA

東芝

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/c3076/marking.html">C3076；Package：SC-70；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TOSHIBA

東芝

大面積UV增強型APD

功能與優(yōu)點：\n\n高量子效率\n\n弱暗電流\n\n易于與閃爍晶體耦合\n\n不受電磁場干擾\n\n短波響應度提高?？商峁┒ㄖ品庋b\n\n優(yōu)異的時間分辨率\n\n符合RoHS標準\n\n應用領域：\n\n高能物理學\n\n輻射探測\n\n粒子物理學\n\n儀器\n\n環(huán)境監(jiān)測\n\n ? 感光面積：100 mm2\n? 工作電壓范圍：275 - 425V\n? 電容：60 pF\n? 暗電流：250 nA\n? 噪聲電流：0.7pA/√Hz\n? NEP：40 fW/√Hz，530nm\n? 封裝：扁平封裝\n? 峰值靈敏度波長：530 nm\n? 光敏面積：10 x 10 mm\n? 響應時間：5 ns\n? 響應度：在530 nm處為16 A/W;

Excelitas

埃賽力達

銦鎵砷PIN光電二極管

功能與優(yōu)點：\n\n提供超低電容選擇 \n\n在1300 nm和1550 nm處響應度高\n\n感光面直徑：5.0 mm\n\n大動態(tài)范圍內(nèi)的高線性度\n\n提供各種完善的TO封裝\n\n可以進行封裝定制（例如添加TEC）\n\n符合RoHS標準\n\n應用領域：\n\n光功率計\n\n光纖測試通訊\n\n近IR光譜\n\n激光仿形臺\n\n儀器\n\nLiDAR\n\n ? 擊穿電壓：> 10 V\n? 工作電壓：5 V\n? 光伏電容：950 pF\n? 暗電流（1V時）：20.0nA\n? 封裝：TO-8\n? 在1300和1550 nm具有高響應度\n? 響應度：? 850 nm時為0.20 A/W\n? 1300 nm時為0.90 A/W\n? 1550 nm時為0.95 A/W\n\n;

Excelitas

埃賽力達

大容量、高成本效益型Si APD

C30724系列APD在800至950 nm的波長范圍內(nèi)具有高響應度，上升和下降時間約為5 ns，下降時間無“拖尾”特征。該系列APD非常適合大體積905 nm激光測距應用，可在固定電壓下工作，無需溫度補償。C30724EH的特別之處是采用氣密TO-18金屬封裝。\n\n主要特性：\n\n采用金屬TO罐體封裝帶905 nm濾光片的Si APD\n\n5 ns上升+下降時間-無拖尾\n\n低放大倍數(shù)下運行\(zhòng)n\n無需溫度補償\n\n關鍵應用：\n\n激光測距\n\n激光測距儀\n\n交通測速槍 ? 感光面積：0.2mm2\n\n? 感光直徑：0.5 mm\n\n? 擊穿電壓：350V\n\n? 電容：1 pF\n\n? 暗電流：20 nA\n\n? 增益：>12、15、<18\n\n? 噪聲電流：0.1pA/√Hz\n\n? 封裝：TO-18\n\n? 峰值靈敏度波長：920 nm\n\n? 光敏直徑：0.5 mm\n\n? 光敏直徑：0.5 mm\n\n? 響應度：在920 nm處為8.5 A/W\n\n? 上升/下降時間：5 ns\n\n? 總暗電流（基板+表面）：20 nA\n\n? 工作電壓范圍：150-200 V\n\n? 波長：400-1100nm;

Excelitas

埃賽力達