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CEB1012	文件：498.1 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Transistor FEATURES ■ 120V, 10A, RDS(ON) = 120mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：498.1 Kbytes 頁(yè)數(shù)：5 Pages	CET 華瑞	CET

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更多BXMF1012供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-21 11:06:00