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BX6607	文件：73.65 Kbytes Page：1 Pages	RF AMPLIFIER MODEL 文件：73.65 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	APITECH	APITECH
CEM6607	文件：345.69 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：345.69 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET 華瑞	CET
CEM6607	文件：653.42 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -3.8A, RDS(ON) = 86mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 125mW @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. 文件：653.42 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages	CET-MOS 華瑞	CET-MOS
CHM6607JPT	文件：232.81 Kbytes Page：2 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3.8 Ampere FEATURE ???????* Small flat package. (SO-8 ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). * High power and current handing capability. * Lead free product is acquired. APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other 文件：232.81 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	CHENMKO 力勤	CHENMKO

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更多BX6607供應(yīng)商更新時間2026-1-19 17:05:00