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BUV25	文件：80.64 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V (Max.)@IC= 6A ·High Power Dissipation ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 500V (Min.) APPLICATIONS ·Designed for use in power switching applications in military and industrial equipments. 文件：80.64 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages	ISC 無錫固電	ISC
BUV25	文件：11.29 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.29 Kbytes 頁數(shù)：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BUV25	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package	TT Electronics	TT Electronics
BUV25	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 500V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS	NJS

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更多BUV25供應(yīng)商更新時間2026-1-19 16:30:00