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          首頁(yè)>BUV21>規(guī)格書(shū)詳情

          BUV21分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

          PDF無(wú)圖
          廠商型號(hào)

          BUV21

          參數(shù)屬性

          BUV21 封裝/外殼為T(mén)O-204AE;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 200V 40A TO204

          功能描述

          Silicon NPN Power Transistors

          封裝外殼

          TO-204AE

          文件大小

          131.21 Kbytes

          頁(yè)面數(shù)量

          3 頁(yè)

          生產(chǎn)廠商

          ISC

          中文名稱

          無(wú)錫固電

          網(wǎng)址

          網(wǎng)址

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          2026-1-19 22:59:00

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          BUV21規(guī)格書(shū)詳情

          DESCRIPTION

          ·With TO-3 package

          ·High DC current gain@IC=12A

          ·Fast switching times

          ·Low collector saturation voltage

          APPLICATIONS

          ·Designed for high current, high speed and high power applications.

          產(chǎn)品屬性

          • 產(chǎn)品編號(hào):

            BUV21G

          • 制造商:

            onsemi

          • 類別:

            分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

          • 系列:

            SWITCHMODE?

          • 包裝:

            卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

          • 晶體管類型:

            NPN

          • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

            1.5V @ 3A,25A

          • 電流 - 集電極截止(最大值):

            3mA

          • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

            20 @ 12A,2V

          • 頻率 - 躍遷:

            8MHz

          • 工作溫度:

            -65°C ~ 200°C(TJ)

          • 安裝類型:

            通孔

          • 封裝/外殼:

            TO-204AE

          • 供應(yīng)商器件封裝:

            TO-204(TO-3)

          • 描述:

            TRANS NPN 200V 40A TO204

          供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
          onsemi
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