BUV21分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BUV21 |
| 參數(shù)屬性 | BUV21 封裝/外殼為TO-204AE；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 200V 40A TO204 |
| 功能描述 | 40 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 200 VOLTS 250 WATTS |
| 封裝外殼 | TO-204AE |
| 文件大小 |
139.76 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | MOTOROLA |
| 中文名稱 | 摩托羅拉 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2026-1-19 22:59:00 |
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BUV21規(guī)格書詳情
SWITCHMODE Series
NPN Silicon Power Transistor
. . . designed for high speed, high current, high power applications.
? High DC current gain:
hFE min. = 20 at IC = 12 A
? Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 8 A
Very fast switching times:
TF max. = 0.4 μs at IC = 25 A
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BUV21G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 系列：
SWITCHMODE?
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 3A，25A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
3mA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 12A，2V
- 頻率 - 躍遷：
8MHz
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-204AE
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-204（TO-3）
- 描述：
TRANS NPN 200V 40A TO204
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
N/A |
18746 |
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詢價 | ||
onsemi |
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