| 型號 | 下載 訂購 | 功能描述 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
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BUR52 | isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ? Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 250V(Min) ? High Current Capability ? Low Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 25A APPLICATIONS ? Designed for switching and linear applications in military and industrial equipment. 文件：186.16 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | ISC 無錫固電 | ISC | |
BUR52 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPN transistors in modified Jedec TO-3 metal case, intented for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. ■ NPN TRANSISTOR ■ MAINTAINS GOOD SWITCHING PERFORMANCE EVEN WITHOUT NEGATIVE BASE DRIVE APPLI 文件：68.87 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體公司 | NJSEMI | |
BUR52 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT The BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPN transistor in modified jedec TO-3 metal case, Intented for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. Compliance to RoHS. 文件：121.38 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | COMSET | COMSET | |
BUR52 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS The BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPN transistor in modified jedec TO-3 metal case, Intented for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. Compliance to RoHS. 文件：77.66 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | COMSET | COMSET | |
BUR52 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPN transistors in modified Jedec TO-3 metal case, intented for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. ■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE ■ NPN TRANSISTOR ■ MAINTAINS GOOD SWITCHING PERFORMANCE EVEN 文件：62.92 Kbytes 頁數(shù)：4 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | |
BUR52 | HIGH CURRENT NPN SILICON 文件：27.62 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | |
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS The BUR52 is a silicon multiepitaxial planar NPN transistor in modified jedec TO-3 metal case, Intented for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. Compliance to RoHS. 文件：77.66 Kbytes 頁數(shù)：3 Pages | COMSET | COMSET | ||
HIGH CURRENT NPN SILICON 文件：21.52 Kbytes 頁數(shù)：2 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB | ||
BUR52 | Bipolar Junction Transistors | TT Electronics | TT Electronics | |
Bipolar Junction Transistors | TT Electronics | TT Electronics |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
350V
- 最大電流允許值：
60A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
- 最大耗散功率：
350W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
350
- htest：
999900
- atest：
60
- wtest：
350
詳細(xì)參數(shù)
- 型號：
BUR52
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT DISC BY STM 08/01 TO-3 NPN PWR DARL
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
ST |
24+ |
TO-3 |
200 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
SGS |
23+ |
2158 |
詢價 | ||||
ST |
2013 |
CAN |
30 |
全新 |
詢價 | ||
SEMELAB |
2447 |
TO-3 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
ST/ON |
23+ |
TO-3 |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
47000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
NS |
24+ |
TO-3 |
6000 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718 |
詢價 | ||
ST(意法) |
25+ |
封裝 |
500000 |
源自原廠成本,高價回收工廠呆滯 |
詢價 |
