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BULK128 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design 文件：83.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | |
BULK128 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：219.98 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | |
BULK128 | High voltage fast-switching NPN power transistor 文件：225.08 Kbytes 頁(yè)數(shù)：11 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | |
BULK128 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | ST 意法半導(dǎo)體 | ST | |
BULK128 | Package：SOT-82；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 400V 4A SOT82-3 | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design 文件：83.21 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | ||
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design 文件：216.86 Kbytes 頁(yè)數(shù)：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半導(dǎo)體 | STMICROELECTRONICS | ||
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HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | ST 意法半導(dǎo)體 | ST |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Di
- 性質(zhì)：
開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
700V
- 最大電流允許值：
4A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
- 最大耗散功率：
55W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-21
- vtest：
700
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
55
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
BULK128
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 1A，4A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
250μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
14 @ 2A，5V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
SOT-82
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-82-3
- 描述：
TRANS NPN 400V 4A SOT82-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-126 |
16000 |
詢價(jià) | |||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價(jià) | |||
STMicroelectronics |
2022+ |
SOT-82-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
SOT-82-3 |
3526 |
正品原裝貨價(jià)格低 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
25+ |
SOT-82 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO-126 |
6000 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來(lái)電查詢15919825718 |
詢價(jià) | ||
ST |
25+ |
TO-126 |
16900 |
原裝，請(qǐng)咨詢 |
詢價(jià) | ||
ST |
26+ |
TO-126 |
60000 |
只有原裝 可配單 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊 |
詢價(jià) |
