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首頁 >BSS84AK>規(guī)格書列表

型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BSS84AK	文件：1.42503 Mbytes Page：16 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/vs/marking.html">VS；Package：TO-236AB；50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ESD 文件：1.42503 Mbytes 頁數(shù)：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSS84AK	文件：1.38094 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Mosfet Application ? Battery protection ? Load switch ? Power management 文件：1.38094 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	TECHPUBLIC 臺(tái)舟電子	TECHPUBLIC
BSS84AK	文件：872.61 Kbytes Page：16 Pages	50 V, 180 mA P-channel Trench MOSFET 文件：872.61 Kbytes 頁數(shù)：16 Pages	恩XP	恩XP
BSS84AKM-TP	文件：2.37218 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Power MOSFET Application Reverse Battery protection ? Load switch o Power management PWM Application 文件：2.37218 Mbytes 頁數(shù)：4 Pages	TECHPUBLIC 臺(tái)舟電子	TECHPUBLIC
BSS84AKQB	文件：280.46 Kbytes Page：15 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/b9/marking.html">B9；Package：DFN1110D-3；50 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small DFN1110D-3 (SOT8015) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Side wettable flanks for optical 文件：280.46 Kbytes 頁數(shù)：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSS84AKS	文件：1.43694 Mbytes Page：17 Pages	絲印：VY；Package：TSSOP6；50 V, 160 mA dual P-channel Trench MOSFET 1.1 General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ESD protection up to 1 kV AEC-Q1 文件：1.43694 Mbytes 頁數(shù)：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSS84AKT	文件：983.99 Kbytes Page：17 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/z6/marking.html">Z6；Package：SOT416；50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ESD pro 文件：983.99 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSS84AKV	文件：256.95 Kbytes Page：14 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/eg/marking.html">EG；Package：SOT666；50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFET 1. General description Dual P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an ultra small and flat lead SOT666 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits ? Logic-level compatible ? Very fast switching ? Trench MOSFET tec 文件：256.95 Kbytes 頁數(shù)：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSS84AKV	文件：876.17 Kbytes Page：17 Pages	50 V, 170 mA dual P-channel Trench MOSFET General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits ■ Logic-level compatible ■ Very fast switching ■ Trench MOSFET technology ■ ESD protection 文件：876.17 Kbytes 頁數(shù)：17 Pages	恩XP	恩XP
BSS84AKW	文件：1.42602 Mbytes Page：16 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/vt/marking.html">VT；Package：SC-70；50 V, 150 mA P-channel Trench MOSFET 1.1 General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology ESD pro 文件：1.42602 Mbytes 頁數(shù)：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

技術(shù)參數(shù)

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
P
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
-50
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
7500
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
8500
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
-0.18
QGD [typ] (nC)：
0.09
Ptot [max] (W)：
0.35
VGSth [typ] (V)：
-1.6
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
24
Coss [typ] (pF)：
4.5
Release date：
2011-05-20

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