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型號(hào)	下載訂購	功能描述	制造商上傳企業(yè)	LOGO
BSS138DWK-13	文件：707.2 Kbytes Page：7 Pages	絲印：38D；Package：SOT363；50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change control 文件：707.2 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BSS138DWK-7	文件：707.2 Kbytes Page：7 Pages	絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/38d/marking.html">38D；Package：SOT363；50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Input Capacitance Fast Switching Speed ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change control 文件：707.2 Kbytes 頁數(shù)：7 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BSS138DWQ	文件：367.75 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features ? Low On-Resistance ? Low Gate Threshold Voltage ? Low Input Capacitance ? Fast Switchin 文件：367.75 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BSS138DWQ-13	文件：367.75 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features ? Low On-Resistance ? Low Gate Threshold Voltage ? Low Input Capacitance ? Fast Switchin 文件：367.75 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BSS138DWQ-7	文件：367.75 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features ? Low On-Resistance ? Low Gate Threshold Voltage ? Low Input Capacitance ? Fast Switchin 文件：367.75 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BSS138DW	文件：105.91 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：105.91 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BSS138DW_1	文件：105.91 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：105.91 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BSS138DW_15	文件：219.76 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：219.76 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BSS138DW-7	文件：105.91 Kbytes Page：5 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：105.91 Kbytes 頁數(shù)：5 Pages	DIODES 美臺(tái)半導(dǎo)體	DIODES
BSS138DW-7-F	文件：945.68 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：945.68 Kbytes 頁數(shù)：6 Pages	VBSEMI 微碧半導(dǎo)體	VBSEMI

技術(shù)參數(shù)

Automotive Compliant PPAP：
BSS138DWQ
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
50 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.2 A
PD @ TA = +25°C：
0.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
3500 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT363

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	BSS138DW	DIODES/美臺(tái)	2025+	SOT-363	5000	原裝進(jìn)口價(jià)格優(yōu) 請(qǐng)找坤融電子!	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BSS138DW	DIODES	24+	SOT-363SOT-323-6	6300	新進(jìn)庫存/原裝	詢價(jià)
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更多BSS138D供應(yīng)商更新時(shí)間2026-1-20 15:08:00

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